●募集趣旨

戦略的創造研究推進事業CRESTの2025年度募集において、フランス国立研究機構(ANR)と連携し、以下の研究領域で日仏共同提案を募集します。採択された場合、日本側グループはJST(CREST)から、フランス側グループはANRからそれぞれ支援を受けます。

●共同研究提案を募集する研究領域

・「ナノ物質を用いた半導体デバイス構造の活用基盤技術」(研究総括:齋藤 理一郎)
・「予測・制御のための数理科学的基盤の創出」(研究総括:小谷 元子)

●応募方法

JSTとANRの両機関に共同研究提案書(英語、CREST-ANR共通書式)を申請。

●募集期間

ANR側:2025年3月3日(月)～6月2日(月)10:00 中央ヨーロッパ時間(夏時間)
※ANRの申請受付期間は、JST(CREST)と異なりますのでご注意ください。
※JSTの申請受付は、今後CREST募集HPにてご案内いたします。
※CRESTへの応募の際に、ANRに提出した日仏共同研究提案の内容を変更することはできません。
※日仏共同提案と通常のCREST提案の両方を申請することはできません。

●詳細URL

[ANR(近日中更新予定)]
[CREST]

●問合せ先

国立研究開発法人科学技術振興機構 戦略研究推進部[募集専用]
E-mail:rp-info@jst.go.jp